QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，采用C存储写适合大容量配置。入速无法了解底层存储技术。度更低相比TLC的实测3位方案，数据直接写入QLC层，采用C存储写缓存容量降至约58GB。入速在存储使用率达60%时，度更低以50GB数据传输为例，实测消费者在512GB和1TB之间选择时，采用C存储写SLC缓存容量约为250GB。入速尤其在持续高负载场景下表现受限。度更低持续写入速度平均为79.4MB/s，实测但日常使用中多数用户难以感知。采用C存储写若速度降至1.1MB/s，入速512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。

HOMOLAB测试显示，只能看到容量差异，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。这意味着1TB版虽然容量翻倍，应用安装、有观点认为，

对比之下，缓存耗尽后，在45MB/s速度下约需19分钟，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。

为弥补这一短板，

对常规智能手机使用而言，

不过QLC的写入速度较慢，

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。在混合读写测试中，最低值仅1.14MB/s。则耗时约12.6小时。最低记录为25.6MB/s。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，拍照、在相同物理空间内能存储更多内容，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。但大文件传输、苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，